@misc{Wośko_Mateusz_Optimisation_2019,
 author={Wośko, Mateusz},
 contributor={Urbańczyk, Wacław. Redakcja},
 identifier={DOI: 10.5277/oa190115},
 year={2019},
 rights={Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)},
 publisher={Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej},
 description={Optica Applicata, Vol. 49, 2019, nr 1, s. 167-176},
 language={eng},
 title={Optimisation of LT-GaN nucleation layer growth conditions for the improvement of electrical and optical parameters of GaN layers},
 type={artykuł},
 keywords={optyka, GaN, nucleation, recrystallization, metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD), nitrides, LED, MSM, MESFET devices},
}