Badanie warunków osadzania heterostruktur (Ga, In) As/GaAs przeznaczonych do wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych - Radziewicz, Damian (Politechnika Wrocławska, 2001)
Keywords: półprzewodniki; arsenek galowo-indowy; epitaksja; osadzanie; MOVPE; studnia kwantowa; heterostruktura; warstwa; diody; detektory; fotoodbiorniki