Badanie warunków osadzania warstw i heterostruktur AlₓGa₁₋ₓAs/GaAs przeznaczonych do konstrukcji przyrządów optoelektronicznych - Ściana, Beata (Politechnika Wrocławska, 2000)
Keywords: związki półprzewodnikowe(Al,Ga)As; heteroepitaksja; osadzanie; MOVPE; struktury niskowymiarowe; przyrządy optoelektroniczne; przyrządy mikrofalowe