Tytuł:

Influence of post annealing on optical and structural properties of Eu and Pd-doped TiO2 thin films

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Autor:

Domaradzki, Jarosław ; Borkowska, Agnieszka ; Kaczmarek, Danuta ; Podhorodecki, Artur ; Misiewicz, Jan

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja

Temat i słowa kluczowe:

optyka ; transparent oxide semiconductor ; thin film ; magnetron sputtering ; titanium oxide ; europium ; palladium

Opis:

Optica Applicata, Vol. 37, 2007, nr 1-2, s. 51-56

Abstrakt:

This work presents optical and structural characterization of europium and palladium doped titanium dioxide thin films prepared by modified magnetron sputtering. The metallic Eu and Pd dopants have been co-sputtered from a base Ti target (mosaic target) and deposited on SiO2 substrates. After the deposition samples were additionally annealed in air ambient for 2 hours at the temperatures of 200 °C, 400 °C, 600 °C and 800 °C, respectively. Structural properties of TiO2:(Eu, Pd) thin films were examined using X-ray diffraction (XRD). XRD patterns recorded after thermal treatment showed the dominating TiO2-rutile phase, independently of the temperature of annealing. Optical properties were studied as defined by optical transmission. It has been shown, that doping shifts the fundamental absorption edge of TiO2 toward the longer wavelength range. As the samples were additionally annealed the band gap widening has been observed from 1.7 eV, for as deposited sample up to 2.31 eV for those annealed at 800 °C.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2007

Typ zasobu:

artykuł

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 37, 2007 ; Optica Applicata, Vol. 37, 2007, nr1-2 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska