Tytuł:

Investigations of electrical properties of Eu- and Pd-doped titanium dioxide thin films on silicon

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Autor:

Domaradzki, Jarosław ; Borkowska, Agnieszka ; Kaczmarek, Danuta ; Prociów, Eugeniusz L.

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja

Temat i słowa kluczowe:

optyka ; oxide semiconductor ; thin film ; electrical properties

Opis:

Optica Applicata, Vol. 37, 2007, nr 1-2, s. 133-137

Abstrakt:

In this work, investigations of electrical properties of Eu- and Pd-doped TiO2 thin films have been outlined. Thin films were deposited by low pressure hot target reactive magnetron sputtering from metallic Ti-Eu-Pd mosaic target on conventional silicon wafers. For electrical characterization of prepared thin films both temperature dependent resistivity and current to voltage (I–V) characteristics have been examined. It has been shown that incorporation of Pd and Eu dopants into TiO2 matrix modified its properties to obtain n-type oxide-semiconductor which is electrically and optically active at room temperature. Additionally from I–V measurements the formation of heterojunction at the interface of thin film–silicon was confirmed.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2007

Typ zasobu:

artykuł

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 37, 2007 ; Optica Applicata, Vol. 37, 2007, nr1-2 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska