Tytuł:

Investigation of strained InGaAs layers on GaAs substrate

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Autor:

Jasik, Agata ; Sass, Jerzy ; Mazur, Krystyna ; Wesołowski, Marek

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja

Temat i słowa kluczowe:

optyka ; low pressure metalorganic vapour phase epitaxy (LP MOVPE) ; strained InGaAs layer ; critical layer thickness ; high resolution X-ray diffractometry (HR XRD) ; diffuse scattering ; atomic force microscopy (AFM) ; misfit dislocation ; plastic relaxation

Opis:

Optica Applicata, Vol. 37, 2007, nr 3, s. 237-242

Abstrakt:

A set of In0.13Ga0.87As layers of various thicknesses on GaAs substrate has been grown by low pressure metalorganic vapour phase epitaxy (LP MOVPE). The initial stage of relaxation process has been investigated and critical layer thickness (CLT) has been determined. The investigations were performed by applying atomic force microscopy (AFM), high resolution X-ray diffractometry (HR XRD) with conventional and synchrotron radiation. The value of CLT determined by AFM observations agrees with that obtained from diffuse scattering measurements. The value is in agreement with HR XRD results.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2007

Typ zasobu:

artykuł

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 37, 2007 ; Optica Applicata, Vol. 37, 2007, nr 3 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska