Tytuł:

Photoluminescence spectroscopy for the evaluation of band potential roughness of InGaN active layers

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Autor:

Kazlauskas, Karolis ; Jursenas, Saulius ; Miasojedovas, Saulius ; Pobedinskas, Paulius ; Tamulaitis, Gintautas ; Zukauskas, Arturas ; Ivanov, Vitalii Yu. ; Godlewski, Marek ; Skierbiszewski, Czesław ; Siekacz, Marcin ; Leszczyński, Michał ; Franssen, Gijs ; Perlin, Piotr ; Suski, Tadeusz ; Grzegory, Izabella

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Wilk, Ireneusz. Redakcja

Temat i słowa kluczowe:

optyka ; photoluminescence ; InGaN quantum wells ; Monte Carlo simulation ; exciton hopping

Opis:

Optica Applicata, Vol. 36, 2006, nr 2-3, s. 181-185

Abstrakt:

Photoluminescence spectroscopy in combination with Monte Carlo simulation of exciton hopping is demonstrated to be a valuable tool for quantitative analysis of the band potential profile in active layers for InGaN-based light emitters. Recently proposed double-scaled potential profile model is used to reveal the scale of potential fluctuations in the individual In-rich regions as well as the dispersion of the average exciton localization energy in these regions. The influence of the different potential fluctuation scales on the stimulated emission threshold and luminescence decay time of highly excited InGaN active layers is studied.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2006

Typ zasobu:

artykuł

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 36, 2006 ; Optica Applicata, Vol. 36, 2006, nr 2-3 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska