Tytuł:

Influence of surface states and bulk traps on non-equilibrium phenomena at GaAs and GaN surfaces

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Autor:

Miczek, Marcin ; Adamowicz, Bogusława ; Hashizume, Tamotsu ; Hasegawa, Hideki

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Wilk, Ireneusz. Redakcja

Temat i słowa kluczowe:

optyka ; gallium arsenide ; gallium nitride ; surface states ; bulk traps ; photoluminescence ; surface photovoltage

Opis:

Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3, s. 355-361

Abstrakt:

The influence of surface state density NSS and bulk non-radiative lifetime t on room temperature photoluminescence quantum efficiency YPL and surface photovoltage (SPV) versus the excitation light intensity F was studied theoretically for GaAs and wurtzite GaN using self-consistent computer simulations. It was demonstrated that SPV(F ) dependences are more sensitive than YPL(F ) to a change in magnitude of NSS, especially for high NSS and at low F, whereas SPV is practically insensitive to t contrary to YPL. The simultaneous measurement of YPL and SPV versus F, combined with rigorous computer analysis, seems to be a very promising method for contactless characterization of the surface and bulk trap parameters.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2005

Typ zasobu:

artykuł

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005 ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska