Tytuł:

High resolution photoemission yield study of the GaAs(100) surface cleaned by atomic hydrogen

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Autor:

Tomkiewicz, Paweł ; Kościelniak, Piotr ; Girycki, Adam ; Szuber, Jacek

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Wilk, Ireneusz. Redakcja

Temat i słowa kluczowe:

optyka ; GaAs ; atomic hydrogen cleaning ; photoemission yield spectroscopy (PYS) ; surface states ; interface Fermi level pinning ; work function ; ionization energy

Opis:

Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3, s. 385-391

Abstrakt:

High-resolution photoemission yield spectroscopy (PYS) has been used to study the electronic properties of space charge layer of the real GaAs(100) surface cleaned by atomic hydrogen. The ionization energy, work function and interface Fermi level position were determined as a function of hydrogen dose. Moreover, the evolution of effective density of filled electronic states localized in the band gap and in the upper part of the valence band was observed. Our experiments showed that for the hydrogen dose up to 104 L H2 the contamination etching stage occurs for which the interface Fermi level position EF – Ev reaches a value of 1.06 eV. For the higher hydrogen dose at the level 105 L H2 the interface Fermi level position EF – Ev reaches a value of 0.75 eV which corresponds to the degradation of GaAs(100) surface that becomes covered by metallic Ga.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2005

Typ zasobu:

artykuł

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005 ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska