Tytuł:

Badanie warunków osadzania warstw i heterostruktur AlₓGa₁₋ₓAs/GaAs przeznaczonych do konstrukcji przyrządów optoelektronicznych

Autor:

Ściana, Beata

Współtwórca:

Mulak, Andrzej. Promotor

Temat i słowa kluczowe:

związki półprzewodnikowe(Al,Ga)As ; heteroepitaksja ; osadzanie ; MOVPE ; struktury niskowymiarowe ; przyrządy optoelektroniczne ; przyrządy mikrofalowe

Wydawca:

Politechnika Wrocławska

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2000

Typ zasobu:

rozprawa doktorska

Język:

pol

Powiązania:

Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Właściciel praw:

Własność autora

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska

Źródło finansowania:

Opracowanie i udostępnienie materiałów przeprowadzono w ramach umowy nr BIBL/SP/0020/2024/02 ze środków Ministra Nauki i Szkolnictwa Wyższego w ramach programu Społeczna Odpowiedzialność Nauki II ; Digitalizację materiałów przeprowadzono w ramach umowy nr BIBL/SP/0020/2024/02 ze środków Ministra Nauki i Szkolnictwa Wyższego w ramach programu Społeczna Odpowiedzialność Nauki II