Electroluminescence of InGaN/GaN heterostructures at the reverse bias and nitrogen temperature
Tytuł publikacji grupowej: Autor:Veleschuk, Vitaly ; Vlasenko, Alexander ; Kisselyuk, Maxim ; Vlasenko, Zoya ; Khmil, Denis ; Borshch, Vladimir
Współtwórca: Temat i słowa kluczowe:optyka ; electroluminescence at reverse bias ; InGaN/GaN heterostructures ; defect
Opis:Optica Applicata, Vol. 45, 2015, nr 4, s. 535-543
Wydawca:Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Miejsce wydania: Data wydania: Typ zasobu: Format: Identyfikator zasobu: Źródło:<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść
Język: Powiązania:Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 45, 2015, nr 4 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Prawa:Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)
Prawa dostępu:Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
Lokalizacja oryginału: