Optical and electrical characterization of reverse bias luminescence in InGaN light emitting diodes
Tytuł publikacji grupowej: Autor:Chen, Hsiang ; Kao, Chyuan-Haur ; Lu, Tien-Chang ; Shei, Shih-Chang
Współtwórca:Gaj, Miron. Redakcja ; Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Temat i słowa kluczowe:optyka ; GaN LED ; electroluminescence at reverse bias ; reverse-bias ; leakage current ; hot carrier
Opis:Optica Applicata, Vol. 41, 2011, Nr 1, s. 195-205
Wydawca:Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Miejsce wydania: Data wydania: Typ zasobu: Format: Źródło:<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść
Język: Powiązania:Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 41, 2011 ; Optica Applicata, Vol. 41, 2011, Nr 1 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Prawa:Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)
Prawa dostępu:Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
Lokalizacja oryginału: