Optical and electrical characterization of reverse bias luminescence in InGaN light emitting diodes
Group publication title: Creator:Chen, Hsiang ; Kao, Chyuan-Haur ; Lu, Tien-Chang ; Shei, Shih-Chang
Contributor:Gaj, Miron. Redakcja ; Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Subject and Keywords:optyka ; GaN LED ; electroluminescence at reverse bias ; reverse-bias ; leakage current ; hot carrier
Description:Optica Applicata, Vol. 41, 2011, Nr 1, s. 195-205
Publisher:Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Place of publication: Date: Resource Type: Format: Source:<sygn. PWr A3481II> ; click here to follow the link ; click here to follow the link
Language: Relation:Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 41, 2011 ; Optica Applicata, Vol. 41, 2011, Nr 1 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Rights:Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)
Access Rights:Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
Location: