Tytuł:

New method of MOVPE process design for the growth of FGM AlGaAs/GaAs photodetectors

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Autor:

Wośko, Mateusz ; Paszkiewicz, Bogdan ; Radziewicz, Damian ; Ściana, Beata ; Paszkiewicz, Regina ; Tłaczała, Marek ; Kovac, Jaroslav ; Vincze, Andrej

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Urbańczyk, Wacław. Redakcja

Temat i słowa kluczowe:

optyka ; growth models ; metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) ; gallium compounds ; semiconducting III-V materials

Opis:

Optica Applicata, Vol. 39, 2009, nr 4, s. 739-747

Abstrakt:

In this paper, the authors present a new attempt to the growth of AlGaAs structures with continuous change of aluminum content by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) technique. The new method of design of multistage growth process for functionally graded semiconductor materials (FGM) has been proposed. A comparison between classical single stage and multistage growth process has been carried out. The analysis of PVS, ECV and SIMS results of fabricated photodetector structures shows significant differences in composition profile of theoretically estimated and fabricated structures, and prove that the new conception of multistage process has more advantages over classical single stage procedure.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2009

Typ zasobu:

artykuł

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 39, 2009 ; Optica Applicata, Vol. 39, 2009, nr 4 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska