Characterization of InGaN structures grown by epitaxial lateral overgrowth over a-plane GaN template
Tytuł publikacji grupowej: Autor:Miasojedovas, Saulius ; Jursenas, Saulius ; Kuokstis, Edmundas ; Zukauskas, Arturas ; Gaevski, Mikhail E. ; Lee, Jiawei ; Shatalov, Maxim ; Gong, Zheng ; Adivarahan, Vinod ; Sattu, Ajay ; Mokina, Irina ; Yang, Jinwei ; Khan, M. Asif
Współtwórca:Gaj, Miron. Redakcja ; Wilk, Ireneusz. Redakcja
Temat i słowa kluczowe:optyka ; luminescence ; InGaN/GaN ; non-polar ; multiple quantum wells (MQWs) ; epitaxial lateral overgrowth (ELOG) ; quantum dots (QDs)
Opis:Optica Applicata, Vol. 36, 2006, nr 2-3, s. 351-358
Abstrakt: Wydawca:Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Miejsce wydania: Data wydania: Typ zasobu: Źródło:<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść
Język: Powiązania:Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 36, 2006 ; Optica Applicata, Vol. 36, 2006, nr 2-3 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Prawa:Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)
Prawa dostępu:Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
Lokalizacja oryginału: