Tytuł:

Ti-doped In2O3 transparent conductive thin films with high transmittance and low resistivity

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Autor:

Song, Zhenyu ; Fu, Qiang ; Li, Lei ; Li, Li ; An, Yupeng ; Wang, Yiding

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Urbańczyk, Wacław. Redakcja

Temat i słowa kluczowe:

optyka ; sputtering ; In2O3 ; transparent conductive oxide ; thin films

Opis:

Optica Applicata, Vol. 40, 2010, nr 4, s. 751-757

Abstrakt:

Ti-doped In2O3 thin films have been prepared on glass substrate by radio frequency (RF) sputtering with different sputtering powers (90, 120, 150, and 180 W) at 330 °C. The influence of sputtering power on the structural, electrical and optical properties of the deposited thin films is investigated. The average transmittance of the thin films in the wavelength range of 500–1100 nm is over 90%. Low resistivity of 7.3×10–4 Ωcm is also obtained based on our thin films, suggesting that Ti-doped In2O3 is a good candidate for transparent conductive thin film.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2010

Typ zasobu:

artykuł

Format:

application/pdf

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 40, 2010 ; Optica Applicata, Vol. 40, 2010, nr 4 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska