Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Physical analysis of an operation of GaInAs/GaAs quantum-well vertical-cavity surface-emitting diode lasers emitting in the 1.3-μm wavelength range
Pobierz

Tytuł: Physical analysis of an operation of GaInAs/GaAs quantum-well vertical-cavity surface-emitting diode lasers emitting in the 1.3-μm wavelength range

Autor:

Sarzała, Robert P.

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Wilk, Ireneusz. Redakcja

Opis:

Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 2, s. 225-240

Abstrakt:

Comprehensive three-dimensional self-consistent optical-electrical-thermal-gain physical modelling is used to simulate room-temperature continuous-wave performance characteristics of GaInAs/GaAs lasers emitting in the 1.3-μm wavelength range. The simulation takes into consideration all physical phenomena crucial for a laser operation including all important interactions between them. A real possibility to design high-performance 1.26-μm GaInAs/GaAs quantum-well vertical-cavity surface-emitting diode lasers (VCSELs) with the aid of a currently available technology is shown. Their outputs are much higher than in the case of their quantum-dot version. Methods to shift the emitting wavelength range of 1.3 μm are discussed and anticipated performance characteristics of such a 1.3-mm VCSELs are determined.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2005

Typ zasobu:

artykuł

Identyfikator zasobu:

oai:dbc.wroc.pl:72588

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005 ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 2 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Temat i słowa kluczowe:

optyka semiconductor laser VCSEL GaInAs/GaAs QW

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

20 sie 2019

Data dodania obiektu:

20 sie 2019

Liczba wyświetleń treści obiektu:

51

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://dbc.wroc.pl/publication/140667

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Physical analysis of an operation of GaInAs/GaAs quantum-well vertical-cavity surface-emitting diode lasers emitting in the 1.3-μm wavelength range 20 sie 2019

Podobne

Optica Applicata
Optica Applicata

An impact of a localization of an oxide aperture within a vertical-cavity surface-emitting diode laser (VCSEL) cavity on its lasing threshold

Sarzała, Robert P. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja

2005
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Performance characteristics of variously detuned VCSELs

Tkacz, Krzysztof Sarzała, Robert P. Nakwaski, Włodzimierz Gaj, Miron. Redakcja Urbańczyk, Wacław. Redakcja

2009
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Numerical model of a semiconductor disk laser

Sokół, Adam K. Sarzała, Robert P. Urbańczyk, Wacław. Redakcja

2016
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

How to enhance a room-temperature operation of diode lasers and their arrays

Sarzała, Robert P. Sokół, Adam K. Kuc, Maciej Nakwaski, Włodzimierz Urbańczyk, Wacław. Redakcja

2016
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

An impact of the electrical pumping scheme on some VCSEL performance characteristics

Morawiec, Seweryn Kowalczewski, Piotr Sarzała, Robert P. Gaj, Miron. Redakcja Urbańczyk, Wacław. Redakcja

2009
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Impact of the active area position in a nitride tunnel junction vertical-cavity surface-emitting laser on its emission characteristics

Śpiewak, Patrycja Wasiak, Michał Sarzała, Robert P. Urbańczyk, Wacław. Redakcja

2020
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Comparative analysis of thermal problems in GaAs- and InP-based 1.3-μm VECSELs

Sokół, Adam K. Sarzała, Robert P. Urbańczyk, Wacław. Redakcja

2013
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Why is it so difficult to reach the single fundamental transverse-mode operation in detuned oxide-confined VCSELs?

Nakwaski, Włodzimierz Sarzała, Robert P. Gaj, Miron. Redakcja Urbańczyk, Wacław. Redakcja

2011
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Politechnika Wrocławska (Koordynator Konsorcjum DBC)
Biblioteka Politechniki Wrocławskiej
Wybrzeże Wyspiańskiego 27
50-370 Wrocław, Polska

Telefon

(+48) 71-320-38-30
(+48) 71-320-47-50

E-Mail

bc@pwr.edu.pl

Odwiedź nas!

https://biblioteka.pwr.edu.pl/

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji