Influence of high Al fraction on reactive ion etching of AlGaN/GaN heterostructures
Tytuł publikacji grupowej: Autor:Gryglewicz, Jacek ; Stafiniak, Andrzej ; Wośko, Mateusz ; Prażmowska, Joanna ; Paszkiewicz, Bogdan
Współtwórca: Temat i słowa kluczowe:optyka ; reactive ione etching ; HEMT ; AlGaN/GaN heterostructure
Opis:Optica Applicata, Vol. 43, 2013, nr 1, s. 27-33
Wydawca:Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Miejsce wydania: Data wydania: Typ zasobu: Format: Identyfikator zasobu: Źródło:<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść
Język: Powiązania:Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 43, 2013 ; Optica Applicata, Vol. 43, 2013, nr 1 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Prawa:Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)
Prawa dostępu:Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
Lokalizacja oryginału: