Electrical and photoelectric characterization of the MOS structures on 3C–SiC substrate
Tytuł publikacji grupowej: Autor:Piskorski, Krzysztof ; Przewłocki, Henryk M. ; Esteve, Romain ; Bakowski, Mietek
Współtwórca:Gaj, Miron. Redakcja ; Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Temat i słowa kluczowe:optyka ; silicon carbide (SiC) ; MOS structure ; band diagram
Opis:Optica Applicata, Vol. 41, 2011, Nr 2, s. 295-305
Wydawca:Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Miejsce wydania: Data wydania: Typ zasobu: Format: Źródło:<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść
Język: Powiązania:Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 41, 2011 ; Optica Applicata, Vol. 41, 2011, Nr 2 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Prawa:Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)
Prawa dostępu:Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
Lokalizacja oryginału: