Piskorski, Krzysztof ; Przewłocki, Henryk M. ; Esteve, Romain ; Bakowski, Mietek
Gaj, Miron. Redakcja ; Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Optica Applicata, Vol. 41, 2011, Nr 2, s. 295-305
Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść
Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 41, 2011 ; Optica Applicata, Vol. 41, 2011, Nr 2 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)
Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
16 sty 2019
12 gru 2018
83
77
https://dbc.wroc.pl/publication/95076
Nazwa wydania | Data |
---|---|
Electrical and photoelectric characterization of the MOS structures on 3C–SiC substrate | 16 sty 2019 |
Bogaczewicz, Rafał Antoni Popko, Ewa Gwóźdź, Katarzyna Renata Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Wojewoda, Henryk Gaj, Kazimierz. Redakcja
Wojewoda, Henryk Gaj, Kazimierz. Redakcja
Nalimov, I. P. Ovechkis, Yu. N. Fedchuk, I. U. Shakirov, A. Kh. Antonov, V. M. Zarutskii, L. P. Gaj, Miron. Redakcja
Goldys, E.M. Drozdowicz-Tomsia, K. Zhu, G. Yu, H. Jinjun, S. Motlan, M. Godlewski, M. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja
Magiera, A. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja
Wilk, Ireneusz Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja
Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja