Obiekt

Autor:

Wierzbowska, Katarzyna ; Adamowicz, Bogusława ; Mazet, Lionel ; Brunet, Jerome ; Pauly, Alain ; Bideux, Luc ; Varenne, Christelle ; Berry, Laure ; Germain, Jean-Paul

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Wilk, Ireneusz. Redakcja

Opis:

Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3, s. 655-662

Abstrakt:

The structure and sensing properties of a novel resistive NO2 sensor based on n-type InP epitaxial layers have been presented. The studies of sensor resistance changes due to adsorbed gas NO2 under exposures in the range from 20 to 100 ppb at a temperature of 80°C were performed. The thickness of the active InP layer changed from 0.2 to 0.4 mm. The response time and signal stability were also investigated. Furthermore, the influence of surface states and near-surface region on sensor parameters in terms of the resistance relative changes was shown from numerical simulations. The analysis of the measured photoelectron spectroscopy (XPS) spectra confirmed the complex chemical composition of the InP oxides, which gives rise to the high density of surface states.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2005

Typ zasobu:

artykuł

Identyfikator zasobu:

oai:dbc.wroc.pl:72899

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005 ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska