Basta, Marek ; Kuźnicki, Zbigniew T.
Optica Applicata, Vol. 42, 2012, Nr 4, s. 713-724
Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
doi:10.5277/oa120403 ; oai:dbc.wroc.pl:55963
<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść
Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 42, 2012 ; Optica Applicata, Vol. 42, 2012, Nr 4 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)
Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
15 sty 2019
30 lis 2018
315
308
https://dbc.wroc.pl/publication/91020
Nazwa wydania | Data |
---|---|
Dielectric functions and optical parameters of heavily doped and/or highly excited Si:P | 15 sty 2019 |
Fitio, Volodymyr Yaremchuk, Iryna Vernyhor, Oleksandr Bobitski, Yaroslav Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Lv, Hui Li, Ziqiang Yang, Tao Huang, Chuyun
Kovacevic, Milan S. Djordjevich, Alexandar Nikezic, Dragoslav Gaj, Miron. Redakcja Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Śródka, Wiesław Gaj, Miron. Redakcja Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Jagoszewski, E. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja
Stádník, B. Jirásková, M. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja
Woźnicka, G. Kruszewski, J. Gutkowski, M. T. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja
Cojocaru, E. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja