An, Yu-Peng ; Wang, Yi-Ding ; Cao, Feng
Gaj, Miron. Redakcja ; Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Optica Applicata, Vol. 40, 2010, nr 1, s. 249-254
Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
<sygn. PWr A3481II> ; click here to follow the link ; click here to follow the link
Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 40, 2010 ; Optica Applicata, Vol. 40, 2010, nr 1 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)
Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
Jan 23, 2019
Jan 23, 2019
76
https://dbc.wroc.pl/publication/96791
Edition name | Date |
---|---|
Doped cap layer effect on impurity-free vacancy enhanced disordering in InGaAs/InP quantum well structures | Jan 23, 2019 |
Motyka, Marcin Sęk, Grzegorz Andrzejewski, Janusz Kudrawiec, Robert Misiewicz, Jan Ściana, Beata Radziewicz, Damian Tłaczała, Marek Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja
Wojewoda, Henryk Gaj, Kazimierz. Redakcja
Wojewoda, Henryk Gaj, Kazimierz. Redakcja
Litwin, D. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja
Kaps, Ch. Schubert, R. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja
Antropova, Tatiana V. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja
Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja
Kubica, J. M. Szczepański, P. Mroziewicz, B. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja