An, Yu-Peng ; Wang, Yi-Ding ; Cao, Feng
Gaj, Miron. Redakcja ; Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Optica Applicata, Vol. 40, 2010, nr 1, s. 249-254
Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
<sygn. PWr A3481II> ; click here to follow the link ; click here to follow the link
Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 40, 2010 ; Optica Applicata, Vol. 40, 2010, nr 1 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)
Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
Jan 23, 2019
Jan 23, 2019
29
https://dbc.wroc.pl/publication/96791
Edition name | Date |
---|---|
Doped cap layer effect on impurity-free vacancy enhanced disordering in InGaAs/InP quantum well structures | Jan 23, 2019 |
Motyka, Marcin Sęk, Grzegorz Andrzejewski, Janusz Kudrawiec, Robert Misiewicz, Jan Ściana, Beata Radziewicz, Damian Tłaczała, Marek Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja
Wojewoda, Henryk Gaj, Kazimierz. Redakcja
Richter, Dieter Gaj, Kazimierz. Redakcja
Klebe, Joachim Miesel, Kukt Gaj, Kazimierz. Redakcja
Schwider, J. Burow, R. Elbner, K. E. Föllmer, K. Grzanna, J. Spolaczyk, R. Wallburg, S. Merkel, K. Gaj, Kazimierz. Redakcja
Wnuczak, Eugeniusz Gaj, Kazimierz. Redakcja
Schwider, J. Elsner, K. E. Spolaczyk, R. Merkel, K. Gaj, Kazimierz. Redakcja
Wnuczak, Eugeniusz Gaj, Kazimierz. Redakcja