Obiekt

Tytuł: Doped cap layer effect on impurity-free vacancy enhanced disordering in InGaAs/InP quantum well structures

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

23 sty 2019

Data dodania obiektu:

23 sty 2019

Liczba wyświetleń treści obiektu:

56

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://dbc.wroc.pl/publication/96791

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Podobne

×

Cytowanie

Styl cytowania:

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji