An, Yu-Peng ; Wang, Yi-Ding ; Cao, Feng
Gaj, Miron. Redakcja ; Urbańczyk, Wacław. Redakcja
Optica Applicata, Vol. 40, 2010, nr 1, s. 249-254
Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść
Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 40, 2010 ; Optica Applicata, Vol. 40, 2010, nr 1 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki
Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)
Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
23 sty 2019
23 sty 2019
66
https://dbc.wroc.pl/publication/96791
Nazwa wydania | Data |
---|---|
Doped cap layer effect on impurity-free vacancy enhanced disordering in InGaAs/InP quantum well structures | 23 sty 2019 |
Motyka, Marcin Sęk, Grzegorz Andrzejewski, Janusz Kudrawiec, Robert Misiewicz, Jan Ściana, Beata Radziewicz, Damian Tłaczała, Marek Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja
Jagoszewski, E. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja
Stádník, B. Jirásková, M. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja
Woźnicka, G. Kruszewski, J. Gutkowski, M. T. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja
Cojocaru, E. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja
Cotos, J. M. Arias, J. Tobar, A. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja
Dubik, B. Masajada, Jan Nowak, J. Zając, M. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja
Para, W. Śmietański, W. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja