Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

High power (>1 W) room-temperature (300 K) 980 nm continuous-wave AlGaAs/InGaAs/GaAs semiconductor lasers
Pobierz

Tytuł: High power (>1 W) room-temperature (300 K) 980 nm continuous-wave AlGaAs/InGaAs/GaAs semiconductor lasers

Autor:

Kosiel, Kamil ; Muszalski, Jan ; Szerling, Anna ; Bugajski, Maciej

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja

Opis:

Optica Applicata, Vol. 37, 2007, nr 4, s. 423-432

Abstrakt:

A technology of high power, continuous-wave (CW) semiconductor lasers has been elaborated. AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures, grown by molecular beam epitaxy (MBE), were used to fabricate laser diodes. The active region of laser diode was formed as strained, 8 nm thick, quantum well (QW) InGaAs layer. The AlGaAs layers of graded composition and graded refractive index (GRIN) formed the waveguide. Lasers were processed into wide stripe (W = 100 μm) mesas and were mounted on copper submounts and Peltier thermoelements in the standard TO-3 transistor housing. For stabilization of laser output, a silicon photodiode was placed next to a laser chip in the same case. Typical threshold current densities were 150 A/cm2, and the quantum efficiencies were of the order of 0.8 W/A. Lasers may work in pulsed regime as well as in CW regime with guaranteed optical power of 1 W at 300 K. The record threshold current densities achieved for 700 μm cavity were as low as 130 A/cm2 and the characteristic temperature was T0 = 200 K.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2007

Typ zasobu:

artykuł

Identyfikator zasobu:

oai:dbc.wroc.pl:63179

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 37, 2007 ; Optica Applicata, Vol. 37, 2007, nr 4 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Temat i słowa kluczowe:

optyka high power semiconductor laser graded refractive index separate confinement heterostructure (GRINSCH) threshold current external efficiency parameter T0 Auger recombination spontaneous radiative recombination nonradiative recombination

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

1 kwi 2019

Data dodania obiektu:

1 kwi 2019

Liczba wyświetleń treści obiektu:

189

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://dbc.wroc.pl/publication/117040

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
High power (>1 W) room-temperature (300 K) 980 nm continuous-wave AlGaAs/InGaAs/GaAs semiconductor lasers 1 kwi 2019

Podobne

Optica Applicata
Optica Applicata

High power AlGaAs/GaAs lasers with improved optical degradation level

Bugajski, Maciej Zbroszczyk, Mariusz Sajewicz, Paweł Muszalski, Jan Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja

2002
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Resonant cavity enhanced photonic devices

Bugajski, Maciej Muszalski, Jan Mroziewicz, Bohdan Regiński, Kazimierz Ochalski, Tomasz Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja

2001
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Reflectance study of SiO2/Si3N4 dielectric Bragg reflectors

Szerling, Anna Wawer, Dorota Hejduk, Krzysztof Piwoński, Tomasz Wójcik, Anna Mroziewicz, Bohdan Bugajski, Maciej Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja

2002
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Properties and origin of oval defects in epitaxial structures grown by molecular beam epitaxy

Szerling, Anna Kosiel, Kamil Wójcik-Jedlińska, Anna Płuska, Mariusz Bugajski, Maciej Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja

2005
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Low resistance ohmic contacts to n-GaAs for application in GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers

Karbownik, Piotr Barańska, Anna Szerling, Anna Macherzyński, Wojciech Papis, Ewa Kosiel, Kamil Bugajski, Maciej Tłaczała, Marek Jakieła, Rafał Gaj, Miron. Redakcja Urbańczyk, Wacław. Redakcja

2009
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

A simple and precise method for the threshold current determination in vertical-cavity surface-emitting lasers

Pruszyńska-Karbownik, Emilia Gębski, Marcin Marciniak, Magdalena Lott, James A. Czyszanowski, Tomasz Urbańczyk, Wacław. Redakcja

2020
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Photoluminescence characterization of AlGaAs/GaAs test superlattices used for optimization of quantum cascade laser technology

Wójcik-Jedlińska, Anna Wasiak, Michał Kosiel, Kamil Bugajski, Maciej Gaj, Miron. Redakcja Urbańczyk, Wacław. Redakcja

2009
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Photoreflectance study of Al0.45Ga0.55As/GaAs superlattice: optical transitions at the miniband Γ and Π points

Motyka, Marcin Sęk, Grzegorz Janiak, Filip Ryczko, Krzysztof Misiewicz, Jan Kosiel, Kamil Bugajski, Maciej Gaj, Miron. Redakcja Urbańczyk, Wacław. Redakcja

2009
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Politechnika Wrocławska (Koordynator Konsorcjum DBC)
Biblioteka Politechniki Wrocławskiej
Wybrzeże Wyspiańskiego 27
50-370 Wrocław, Polska

Telefon

(+48) 71-320-38-30
(+48) 71-320-47-50

E-Mail

bc@pwr.edu.pl

Odwiedź nas!

https://biblioteka.pwr.edu.pl/

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji