Obiekt

Tytuł: AlGaAs/GaAs heterojunction phototransistor with Zn delta-doped base region

Autor:

Ściana, Beata ; Radziewicz, Damian ; Pucicki, Damian ; Tłaczała, Marek ; Kováč, Jaroslav ; Srnanek, Rudolf

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Wilk, Ireneusz. Redakcja

Opis:

Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3, s. 645-650

Abstrakt:

The paper presents the technology and characterisation of n-p-n AlGaAs/GaAs heterojunction phototransistor (HPT) with a thin (50 nm) Zn delta-doped GaAs base region. Such a construction of the HPT transistor was applied to obtain higher current gain and lower power consumption. The electrical and optical properties of the HPT transistor were examined using electrochemical capacitance-voltage (EC-V) measurements, photovoltage, photocurrent and micro-Raman spectroscopies. The measured and simulated I-U characteristics as well as results of time response measurements are also presented and discussed. All investigations were carried out without a base bias (“floating base”).

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2005

Typ zasobu:

artykuł

Identyfikator zasobu:

oai:dbc.wroc.pl:72895

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005 ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

2019-09-24

Data dodania obiektu:

2019-09-24

Liczba wyświetleń treści obiektu:

17

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://dbc.wroc.pl/publication/141001

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Podobne

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji