Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Influence of high pressure annealing on electrical properties of surface layer of neutron irradiated or germanium-doped Czochralski-grown silicon
Pobierz

Tytuł: Influence of high pressure annealing on electrical properties of surface layer of neutron irradiated or germanium-doped Czochralski-grown silicon

Autor:

Jung, Wojciech ; Misiuk, Andrzej ; Londos, Charalambos A. ; Yang, Deren ; Antonova, Irina V. ; Prujszczyk, Marek

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Wilk, Ireneusz. Redakcja

Opis:

Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3, s. 393-398

Abstrakt:

The effect of annealing at 720–920 K under enhanced pressure (up to 1.1 GPa) in argon ambient on electrical properties of the surface layer of the Czochralski-grown silicon (Cz-Si) subjected to neutron irradiation (doses of up to 1×1017 cm–2, E = 5 MeV) or germanium doping (doping level 7×1017 cm–3) was investigated by electrical C-V, I-V and admittance method. The stress-induced decrease in electron concentration was observed in both p- and n-type samples after neutron irradiation and annealing under a pressure of 1.1 GPa at 720 K for 10 hours, while in the germanium doped samples an ascending dependence of the creation of thermal donors and lack of dependence of new donors on hydrostatic pressure was observed. The effects observed can be explained as resulting, among others, from the irradiation-induced defects (generation of thermal acceptors) and pressure stimulated creation of thermal donors in germanium-doped silicon.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2005

Typ zasobu:

artykuł

Identyfikator zasobu:

oai:dbc.wroc.pl:72766

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005 ; Optica Applicata, Vol. 35, 2005, nr 3 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Temat i słowa kluczowe:

optyka germanium-doped silicon neutron-irradiated silicon defects

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

13 wrz 2019

Data dodania obiektu:

13 wrz 2019

Liczba wyświetleń treści obiektu:

37

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://dbc.wroc.pl/publication/140865

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Influence of high pressure annealing on electrical properties of surface layer of neutron irradiated or germanium-doped Czochralski-grown silicon 13 wrz 2019

Podobne

Optica Applicata
Optica Applicata

Defect structure changes in thin layers of semiconductors annealed under hydrostatic pressure

Bąk-Misiuk, Jadwiga Misiuk, Andrzej Domagała, Jarosław Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja

2002
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Fibre optic pressure sensor and monitoring of structural defects

Pandey, N.K. Yadav, B.C. Gaj, Miron. Redakcja

2007
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Effect of uniform stress on SiO2/Si interface in oxygen-implanted Si and SIMOX structures

Bryja, Leszek Kątcki, Jerzy Ratajczak, Jacek Misiuk, Andrzej Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja

2002
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Doped cap layer effect on impurity-free vacancy enhanced disordering in InGaAs/InP quantum well structures

An, Yu-Peng Wang, Yi-Ding Cao, Feng Gaj, Miron. Redakcja Urbańczyk, Wacław. Redakcja

2010
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Investigation of deep defects using generation-recombination noise

Gislason, Haflidi P. Seghier, Djelloul Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja

2006
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Properties and origin of oval defects in epitaxial structures grown by molecular beam epitaxy

Szerling, Anna Kosiel, Kamil Wójcik-Jedlińska, Anna Płuska, Mariusz Bugajski, Maciej Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja

2005
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Modification of energy bandgap in lattice mismatched InGaAs/GaAs heterostructures

Gelczuk, Łukasz Dąbrowska-Szata, Maria Gaj, Miron. Redakcja Urbańczyk, Wacław. Redakcja

2009
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Sur la forme relativiste des conditions du stigmatisme parfait

Wojewoda, Henryk Gaj, Kazimierz. Redakcja

1984
czasopismo
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Politechnika Wrocławska (Koordynator Konsorcjum DBC)
Biblioteka Politechniki Wrocławskiej
Wybrzeże Wyspiańskiego 27
50-370 Wrocław, Polska

Telefon

(+48) 71-320-38-30
(+48) 71-320-47-50

E-Mail

bc@pwr.edu.pl

Odwiedź nas!

https://biblioteka.pwr.edu.pl/

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji