Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Thermal model of nitride edge-emitting laser diodes
Pobierz

Tytuł: Thermal model of nitride edge-emitting laser diodes

Autor:

Kuc, Maciej ; Sarzała, Robert P.

Współtwórca:

Gaj, Miron. Redakcja ; Urbańczyk, Wacław. Redakcja

Opis:

Optica Applicata, Vol. 39, 2009, nr 4, s. 663-672

Abstrakt:

Nitride laser diodes (LDs), as compared with arsenide ones, are known to exhibit poor thermal properties, mostly because of a very intense heat generation within their volumes. Therefore, to enable their useful operation, they should be designed in a way enhancing efficiency of heat-flux extraction from their volumes. In the present paper, the finite-element approach has been used to compare heat-flux spreading mechanism in continuous-wave room-temperature threshold operated nitride laser diodes with four different mounting schemes. For the standard laser width of 300 μm, the maximal active-region temperature increase over the RT ranges from 33.3 K (for the best two-sided heat LD mounting with the diamond heat spreader on the p-side) to 50.0 K (for the n-side LD mounting). As expected, laser diodes attached to their heat sinks on their p-side exhibit much more efficient heat-flux extraction than those attached on their n-type substrate. Even more efficient extraction takes place for the two-sided laser mounting. Besides, an application of the diamond heat spreader considerably enhances the above efficiency disregarding the place of its application. Further improvements may be expected in new optimised nitride laser devices designed in a way enhancing both heat-flux flow through areas of high-thermal-conductivity materials (diamond, copper, but also binary nitride compounds) and a reduction of heat-flux paths through layers of low-thermal-conductivity ternary and quaternary nitride compounds.

Wydawca:

Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej

Miejsce wydania:

Wrocław

Data wydania:

2009

Typ zasobu:

artykuł

Identyfikator zasobu:

oai:dbc.wroc.pl:62103

Źródło:

<sygn. PWr A3481II> ; kliknij tutaj, żeby przejść ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Powiązania:

Optica Applicata ; Optica Applicata, Vol. 39, 2009 ; Optica Applicata, Vol. 39, 2009, nr 4 ; Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki

Prawa:

Wszystkie prawa zastrzeżone (Copyright)

Prawa dostępu:

Dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Lokalizacja oryginału:

Politechnika Wrocławska

Tytuł publikacji grupowej:

Optica Applicata

Temat i słowa kluczowe:

optyka InGaN/GaN laser diode simulation of a laser diode operation thermal model heat-flux spreading analysis

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

12 mar 2019

Data dodania obiektu:

12 mar 2019

Liczba wyświetleń treści obiektu:

40

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://dbc.wroc.pl/publication/110757

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Thermal model of nitride edge-emitting laser diodes 12 mar 2019

Podobne

Optica Applicata
Optica Applicata

How to enhance a room-temperature operation of diode lasers and their arrays

Sarzała, Robert P. Sokół, Adam K. Kuc, Maciej Nakwaski, Włodzimierz Urbańczyk, Wacław. Redakcja

2016
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Computer simulation of performance characteristics of (GaIn)(NAs) diode lasers

Sarzała, Robert P. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja

2002
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Method of lines – the new vectorial approach to optical phenomena in diode lasers

Czyszanowski, Tomasz Wasiak, Michał Maćkowiak, Paweł Sarzała, Robert P. Nakwaski, Włodzimierz Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja

2002
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Designing guidelines for nitride VCSELs resonator

Maćkowiak, Paweł Wasiak, Michał Czyszanowski, Tomasz Sarzała, Robert P. Nakwaski, Włodzimierz Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja

2002
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Physical analysis of an operation of GaInAs/GaAs quantum-well vertical-cavity surface-emitting diode lasers emitting in the 1.3-μm wavelength range

Sarzała, Robert P. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja

2005
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

An impact of a localization of an oxide aperture within a vertical-cavity surface-emitting diode laser (VCSEL) cavity on its lasing threshold

Sarzała, Robert P. Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja

2005
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Optical gain saturation effects in InAs/GaAs self-assembled quantum dots

Wasiak, Michał Bugajski, Maciej Machowska-Podsiadło, Elżbieta Ochalski, Tomasz Kątcki, Jerzy Sarzała, Robert P. Maćkowiak, Paweł Czyszanowski, Tomasz Nakwaski, Włodzimierz Chen, J. X. Oesterle, Ursula Fiore, Andrea Ilegems, Mark Gaj, Miron. Redakcja Wilk, Ireneusz. Redakcja

2002
artykuł
Optica Applicata
Optica Applicata

Material parameters of antimonides and amorphous materials for modelling the mid-infrared lasers

Piskorski, Łukasz Sarzała, Robert P. Urbańczyk, Wacław. Redakcja

2016
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Politechnika Wrocławska (Koordynator Konsorcjum DBC)
Biblioteka Politechniki Wrocławskiej
Wybrzeże Wyspiańskiego 27
50-370 Wrocław, Polska

Telefon

(+48) 71-320-38-30
(+48) 71-320-47-50

E-Mail

bc@pwr.edu.pl

Odwiedź nas!

https://biblioteka.pwr.edu.pl/

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji